1．Wire Bonding 原理 

电路连线，使芯片与封装基板或导线框架完成电路的连线，以发挥电子讯号传输的功能 

Wire Bonding 的分类

按工艺技术： 

1•球形焊接（ball bonding) 

2•楔形焊接 (wedge bonding) 

按焊接原理：

热超声焊的原理： 

对金属丝和压焊点同时加热加超声波，接触面便产生塑性变形，并破坏了界面的

氧化膜，使其活性化，通过接触面两金属之间的相互扩散而完成连接。

Wire Bonding 的四要素： 

•Time(时间） 

•Power(功率） 

•Force(压力） 

•Temperature（温度） 

2•Bonding 用 Wire 

Au WIRE 的主要特性： 

•具有良好的导电性，仅次于银、铜。 

电阻率（μΩ・ｃｍ）的比较 

Ag（１．６）＜Cu（１．７）＜Au（２．３）＜Al（２．７） 

•具有较好的抗氧化性 。 

•具有较好的延展性，便于线材的制作。常用 Au 

 Wire 直径为 23μｍ，25 μｍ，30 μｍ 

•具有对热压缩 Bonding Z适合的硬度 

•具有耐树脂 Mold 的应力的机械强度 

•成球性好（经电火花放电能形成大小一致的金球） 

•高纯度（4N：99.99%）

3•Bonding 用 Capillary 

Capillary 的选用： 

Hole 径（Ｈ） 

Hole 径是由规定的 Wire 径ＷＤ（Wire Diameter)来决定 H=1.2~1.5WD

Capillary 主要的尺寸： 

H： Hole Diameter (Hole 径) 

T：Tip Diameter 

B：Chamfer Diameter(orCD) 

IC：Inside Chamfer 

IC ANGLE：Inside Chamfer Angle 

FA：Face Angle (Face 角) 

OR：Outside Radius

a 15(15XX)：直径 1/16 inch （约 1.6mm)，标准氧化铝陶瓷 

b XX51：capillary 产品系列号 

c 18：Hole Size 直径为 0.0018 in.（约 46μm ） 

d 437：capillary 总长 0.437 in.(约 11.1mm） 

e GM：capillary tip 无抛光; (P：capillary tip 有抛光） 

f 50：capillary tip 直径 T 值为 0.0050 in. （约 127μm）

g 4： IC 为 0.0004 in. （约 10μm） 

h 8D：端面角度 face angle 为 8° 

i 10：外端半径 OR 为 0.0010 in.（约 25μm） 

j 20D：锥度角为 20° 

k CZ1：材质分类，分 CZ1,CZ3,CZ8 三种系列

Capillary 尺寸对焊线质量的影响： 

1• Chamfer 径（ＣＤ） 

Chamfer 径过于大的话、Bonding 强度越弱，易造成虚焊.

2• Chamfer 角（ICA ） 

Chamfer 角：小→Ball Size：小 

Chamfer 角：大→Ball Size：大

将 Chamfer 角由 90°变更为 120°可使 Ball 形状变大，随之 Ball 的宽度变宽、与

Pad 接合面积也能变宽。

3• OR（Outer Radius）及 FA（Face Angle）：对 Hill Crack、Capillary 的 OR

（Outer Radius）及 FA（Face Angle）的数值是重要影响因素。

FA（Face Angle）0°→8°变更

FA 0°→8°的变更并未能增加 Wire Pull 的测试强度，但如下图所示，能够增加

2nd Neck 部的稳定性。